單晶爐 晶體生長爐專為實驗室單晶制備與材料定向凝固研發(fā)，采用集成設(shè)計，整機布局緊湊，移動維護便捷。設(shè)備最高溫度可達 2100℃，寬溫域調(diào)控能力適配多種晶體生長工藝，可在高真空、惰性保護氣氛條件下運行，有效隔絕氧氣，避免高溫熔體氧化、雜質(zhì)污染，保障晶體生長環(huán)境潔凈穩(wěn)定。

單晶爐 晶體生長爐設(shè)備主體由不銹鋼真空爐體、高精度提拉升降機構(gòu)、加熱系統(tǒng)、真空機組、智能觸控電控系統(tǒng)組成。真空腔體設(shè)有觀察視窗，方便實時觀測熔體狀態(tài)與晶體生長過程；升降機構(gòu)可精準控制提拉速度與位移，滿足不同單晶生長工藝對溫場、生長速率的嚴苛要求。電控系統(tǒng)搭載多通道溫控儀表，實時采集爐內(nèi)溫度數(shù)據(jù)，溫控精度高，可設(shè)置分段升溫、保溫、降溫工藝曲線，自動完成整套生長流程，降低人工操作誤差。

該設(shè)備可采用多種晶體生長工藝，可用于生長半導體單晶、氧化物功能晶體、金屬單晶等材料，廣泛應用于新材料科研單位、高校實驗室以及企業(yè)研發(fā)中心。設(shè)備支持定制服務(wù)，可根據(jù)試驗需求調(diào)整腔體容積、加熱功率、真空配置、提拉行程等參數(shù)。

整機采用安全聯(lián)鎖防護設(shè)計，具備超溫、水壓、真空異常報警保護功能，提升高溫真空試驗的安全性。模塊化結(jié)構(gòu)便于后期部件檢修與配件更換，減少停機維護時間。設(shè)備兼顧科研實驗的靈活性與穩(wěn)定性，既能開展小批量樣品探索試驗，也可用于晶體生長工藝參數(shù)摸索，是功能晶體、半導體新材料研發(fā)階段的核心高溫真空裝備。