一·雙管爐 真空爐 區熔爐 提純爐熔煉爐    設備用途：

1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；

2. 區熔致勻（使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶體中）

3. 焊接和測量液體中的擴散率等。

二·雙管爐 真空爐 區熔爐 提純爐熔煉爐   優點：

 1·區熔加熱爐采用往復區熔的方式，閉環溫度控制，可靠的控制熔區的寬度問題；生長室的設計成功解     決生長室的污染問題，
 2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通     入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；
 3·開發高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區熔的溫度，區熔的速度及次數。

三·主要技術參數

1. 最高加熱溫度：     1200℃ 使用溫度：500-1100℃

2. 設備功率：          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）

3. 感應電源功率：     20Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）頻率≥400kHz。

4. 紅外加熱功率：      2kw*2(暫定）

5. 冷態極限真空度：   ≤5×10^-4Pa

6. 石墨舟尺寸：     Ф70*200mm（外徑*長度，半圓柱）

7. 石英管（腔室）尺寸： ￠90*1500（根據實際情況做調整）

8. 加熱方式：        高頻感應加熱

9·區熔行程及速度：  位移行程 ≦1200mm
                   慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm
               快速：200mm/min（伺服控制）（空走或者后退）
10.爐內充氣壓力：    ≤0.03MPa（氬氣）
11·充氣系統：      自動充放氣
12.區熔溫區：       2溫區
13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質304不銹鋼
14.控制方式：觸摸屏+plc