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真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料

真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料

所屬分類:晶體爐

產(chǎn)品型號:KZDJ-80-15

更新時間:2026-08-19

描述:真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料 設(shè)備用途
  主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備,氟化物類晶體生長,燒結(jié),退火等處理

詳細信息


真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料

一· 真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料 設(shè)備用途
  主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備,氟化物類晶體生長,燒結(jié),退火等處理

二·真空燒結(jié)爐 晶體生長爐 用于堿金屬單晶材料

  產(chǎn)品特點

1·模塊化設(shè)計,結(jié)構(gòu)緊湊,外形美觀,

2·采用底部電動升降和鐘罩式爐體升降,結(jié)構(gòu)精巧,方便,移動平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式,自動化程度高,操作直觀,功能*。

4· 在觸摸屏內(nèi)可預存幾十種燒結(jié)工藝,一次編輯,以后直接調(diào)用使用,省去多次編輯工藝的麻煩,避免輸入錯誤,燒壞產(chǎn)品。

5· 燒結(jié)的溫度,真空度,等數(shù)據(jù)可實時記錄,也可隨時啟動停止記錄,減少無用數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)可查詢,可導出下載。

6· 燒結(jié)溫度高,用石墨發(fā)熱體,發(fā)熱均勻。

三·設(shè)備參數(shù)

1· 設(shè)備總功率:≤110Kw;電源電壓:3相380V,50Hz

2·加熱功率:80kw 三相380V(暫定)

3·溫度:1500℃

4·額定溫度:0~1400℃

5. 工作區(qū)尺寸:Ф500×300mm(直徑×高,)

6·爐體內(nèi)徑Ф1000*1200mm(暫定)

7·測溫系統(tǒng):鎢萊熱電偶

8·控溫精度: ±1℃

9·加熱區(qū):  Ф540×600mm

10·下降速度:慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)

快速升降50-200mm/min(帶手動升降)

11·中心軸有效行程/載重:      ≤450mm/200kg

12·爐內(nèi)充氣壓力:








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